| 鑫多晶S4系列 |
S4H6：158.75 ±0.25mm S4H9: 166.00 ±0.25mm |
1、采用全新的共掺杂技术，解决多晶电池片光衰问题； 2、电阻率优化设计，更适用于PERC高效电池工艺； 3、优化硅片尺寸设计有效提高后端组件输出功率。 |
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| 鑫多晶TS+系列 |
TS+H6：158.75 ±0.26mm TS+H9: 166.00 ±0.25mm |
1、独创“鑫绒面”湿法黑硅技术； 2、提升4W-6W组件功率（60片型）； 3、匹配PERC技术，带来额外效率提升； |
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| 鑫单晶G4铸锭单晶系列 |
JG4H6:158.75 ±0.25mm JG4H9:166.00 ±0.25mm |
1、平均转换效率接近直拉单晶； 2、业界领先的铸锭工艺，有效控制结构缺陷； 3、低成本、低衰减、高发； 4、可制备最高435W（72PCS）高效PERC组件； 5、切割方式：金刚线切割。 |
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| 直拉单晶系列 |
M2：156.75 ±0.25mm FSQ:158.75mm全方片 M6: 166.00 ±0.25mm |
1、P型或N型 2、间隙氧含量：≤8E+17at/cm³ 3、替位碳含量：≤5E+16at/cm³ 4、位错密度：≤500cm-2 5、表面晶向：＜100＞±3° 6、切割方式：金刚线切割 |
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