鑫多晶S4系列 |
S4H6:158.75 ±0.25mm S4H9: 166.00 ±0.25mm |
1、采用全新的共掺杂技术,解决多晶电池片光衰问题; 2、电阻率优化设计,更适用于PERC高效电池工艺; 3、优化硅片尺寸设计有效提高后端组件输出功率。 |
![]() |
鑫多晶TS+系列 |
TS+H6:158.75 ±0.26mm TS+H9: 166.00 ±0.25mm |
1、独创“鑫绒面”湿法黑硅技术; 2、提升4W-6W组件功率(60片型); 3、匹配PERC技术,带来额外效率提升; |
![]() |
鑫单晶G4铸锭单晶系列 |
JG4H6:158.75 ±0.25mm JG4H9:166.00 ±0.25mm |
1、平均转换效率接近直拉单晶; 2、业界领先的铸锭工艺,有效控制结构缺陷; 3、低成本、低衰减、高发; 4、可制备最高435W(72PCS)高效PERC组件; 5、切割方式:金刚线切割。 |
![]() |
直拉单晶系列 |
M2:156.75 ±0.25mm FSQ:158.75mm全方片 M6: 166.00 ±0.25mm |
1、P型或N型 2、间隙氧含量:≤8E+17at/cm³ 3、替位碳含量:≤5E+16at/cm³ 4、位错密度:≤500cm-2 5、表面晶向:<100>±3° 6、切割方式:金刚线切割 |
![]() |