產品介紹

鑫單晶G1矽片
  • 2011年發布了“鑫單晶”類單晶矽片,其轉換效率最高可達18.5%,接近傳統的直拉單晶矽片;
  • “鑫單晶”的成本要低於直拉單晶矽片,與定向凝固多晶鑄錠成本相近;
  • 鑫單晶矽片光衰減要優於直拉單晶矽片,平均低一個百分點以上。
  • 鑫單晶G2矽片
  • 2013年12月,公司發布了其第二代類單晶矽片產品-“鑫單晶G2”,並宣布其進入商業化量產。
  • 相較於2011年發布的第一代類單晶“鑫單晶G1”產品,“鑫單晶G2”平均光電轉換效率提升了1.1%,矽片性能取得大幅度提升,可用於制備280/335W(60/72PCS)以上的電池組件。
  • 相較於以傳統直拉法制得的單晶產品,“鑫單晶G2”在電池制備過程中有0.5%的額外效率增益,光衰平均低1%,同時具有轉換效率相近、面積大、封裝損失低等特點,是單晶鑄錠技術取得的重大產品突破。
  • 鑫單晶G3-全新的鑄錠技術平臺
    第四代鑄錠單晶矽片產品——G4

    • G4鑄錠單晶矽片較上一代G3產品效率提升0.10~0.15%
    • G4已在部分客戶實現批量導入,同產線、同工藝條件下與直拉單晶效率差值0.2%以內
    • PERC+SE電池工藝條件下,G4量產平均效率均值>22.1%,外觀完美
    • 鑄錠單晶產品尺寸靈活,未來更傾向於166尺寸
    • 以158.75尺寸矽片、72片版型為例,組件功率全面突破400Wp,檔位更為集中
    • 適用於PERC\MWT\MBB\雙面\topcon等各種電池工藝
    • 適用於半片、拼片、疊瓦組件等各種組件技術
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